氧化鋅將成為創造高性能LED的突破點
2008年12月19日 10:31 6514次瀏覽 來源： 中國有色網 分類： 鉛鋅資訊
據國外媒體報道，德國科學家采用氫進行摻雜的方法制造出更高性能的LED和其他半導體。他們稱，在使用氧化鋅制造半導體時，合理控制氫原子將成為一個關鍵。半導體摻雜是激活半導體的必要條件，它將外來的原子摻進晶體里，而該原子可以釋放（n型摻雜）或吸收一個電子（p型摻雜）。這樣就在固體內部創造一個空穴。
科學家已經在努力將氫和p型摻雜結合，但是氫原子更加容易進行n型摻雜，但是這會阻礙半導體工藝。而P型摻雜才能制造LED和半導體。而氧化鋅到處都是——每年全球的產量為數千噸。
責任編輯：安會珍
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