1.1毫米8英寸硅基氮化鎵LED芯片問世
2012年05月23日 10:1 7681次瀏覽 來源： 國半導體照明網 分類： 新技術
近日，普瑞光電公司與東芝公司宣布，兩家公司共同研發出了行業頂級8英寸硅基氮化鎵LED芯片。該芯片僅1.1毫米，在電壓低于3.1V電流350mA時發射功率達 614mW。
面對全球液晶面板和照明系統對LED芯片日益增長的需求，普瑞光電與東芝公司將進一步加快在這一領域的研發步伐。
“東芝公司和普瑞光電早已在這項技術研發方面展開合作，此次注資使兩家公司建立為更具有戰略性的合作伙伴關系，將推動我們實現降低普通照明市場固態解決方案成本的共同目標。” 普瑞光電公司首席執行官Bill Watkins 表示。
“我們很高興通過我們與普瑞光電公司的研發合作獲得了前所未有的8英寸硅基氮化鎵LED性能。我們將繼續進行更先進的開發，并加速把我們的技術商品化。”東芝公司半導體和存儲產品公司副總裁兼執行副總裁Makoto Hideshima表示。
責任編輯：安子
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